IKB15N65EH5ATMA1

IKB15N65EH5ATMA1
Mfr. #:
IKB15N65EH5ATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Transistors Infineon s 650 V, 15 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switc
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IKB15N65EH5ATMA1 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IKB15N65EH5ATMA1 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-263-3
Montageart:
SMD/SMT
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
650 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
1.65 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
30 A
Pd - Verlustleistung:
105 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Serie:
650V TRENCHSTOP 5
Verpackung:
Spule
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
30 A
Marke:
Infineon-Technologien
Gate-Emitter-Leckstrom:
100 nA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
IGBTs
Handelsname:
TRENCHSTOP
Teil # Aliase:
IKB15N65EH5 SP001502570
Tags
IKB15, IKB1, IKB
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
TRENCHSTOP™ 5 IGBTs
Infineon TRENCHSTOP™ 5 IGBTs are the next generation of thin wafer IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that feature significantly lower conduction and switching losses compared to currently leading solutions. TRENCHSTOP 5 is designed for applications where switching >10kHz. The wafer thickness has been reduced by >25%, which enables a dramatic improvement in both switching and conduction losses, while providing a breakthrough voltage of 650V. This quantum leap in efficiency opens up new opportunities for designers to explore.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IKB15N65EH5ATMA1
DISTI # 31581267
Infineon Technologies AGTRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode1000
  • 1000:$1.7867
IKB15N65EH5ATMA1
DISTI # IKB15N65EH5ATMA1-ND
Infineon Technologies AGINDUSTRY 14
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 1000:$1.4997
IKB15N65EH5ATMA1
DISTI # IKB15N65EH5ATMA1
Infineon Technologies AGINDUSTRY 14 - Tape and Reel (Alt: IKB15N65EH5ATMA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel
Americas - 0
  • 10000:$1.1900
  • 4000:$1.2900
  • 6000:$1.2900
  • 1000:$1.3900
  • 2000:$1.3900
IKB15N65EH5ATMA1Infineon Technologies AGIKB15N65EH5 Series 650 V 30 A High Speed Switching 5th Generation -PG-TO263-3
RoHS: Compliant
1000Reel
  • 1000:$1.2800
IKB15N65EH5ATMA1
DISTI # 726-IKB15N65EH5ATMA1
Infineon Technologies AGIGBT Transistors Infineon s 650 V, 15 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
RoHS: Compliant
847
  • 1:$2.7000
  • 10:$2.2900
  • 100:$1.9900
  • 250:$1.8800
  • 500:$1.6900
  • 1000:$1.4200
  • 2000:$1.3500
  • 5000:$1.3000
IKB15N65EH5ATMA1
DISTI # XSFP00000165771
Infineon Technologies AG 
RoHS: Compliant
2000 in Stock0 on Order
  • 2000:$1.4200
  • 1000:$1.5100
Bild Teil # Beschreibung
IGT60R070D1ATMA1

Mfr.#: IGT60R070D1ATMA1

OMO.#: OMO-IGT60R070D1ATMA1

MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
IGO60R070D1AUMA1

Mfr.#: IGO60R070D1AUMA1

OMO.#: OMO-IGO60R070D1AUMA1

MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
IGOT60R070D1AUMA1

Mfr.#: IGOT60R070D1AUMA1

OMO.#: OMO-IGOT60R070D1AUMA1

MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
MCP1812AT-018/TT

Mfr.#: MCP1812AT-018/TT

OMO.#: OMO-MCP1812AT-018-TT

LDO Voltage Regulators Ultra Low Iq LDO
SPM6530T-100M-HZ

Mfr.#: SPM6530T-100M-HZ

OMO.#: OMO-SPM6530T-100M-HZ

Fixed Inductors 10uH 20% 78.5mOhms Pwr Indctr AEC-Q200
SML-D12P8WT86C

Mfr.#: SML-D12P8WT86C

OMO.#: OMO-SML-D12P8WT86C

Standard LEDs - SMD Grn 560nm 6.3mcd 2.2V; 20mA; 0603
MCP1812AT-018/TT

Mfr.#: MCP1812AT-018/TT

OMO.#: OMO-MCP1812AT-018-TT-MICROCHIP-TECHNOLOGY

Ultra Low Iq LDO
IGOT60R070D1AUMA1

Mfr.#: IGOT60R070D1AUMA1

OMO.#: OMO-IGOT60R070D1AUMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

IC GAN FET 600V 60A 20DSO
IGO60R070D1AUMA1

Mfr.#: IGO60R070D1AUMA1

OMO.#: OMO-IGO60R070D1AUMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

IC GAN FET 600V 60A 20DSO
IGT60R070D1ATMA1

Mfr.#: IGT60R070D1ATMA1

OMO.#: OMO-IGT60R070D1ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
Verfügbarkeit
Aktie:
597
Auf Bestellung:
2580
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von IKB15N65EH5ATMA1 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
2,70 $
2,70 $
10
2,29 $
22,90 $
100
1,99 $
199,00 $
250
1,88 $
470,00 $
500
1,69 $
845,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
Beginnen mit
Neueste Produkte
Top