FDMS8660S

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Power-56-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.9 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

6 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

FET

Breite:

5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

123 S

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

76 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Gewichtseinheit:

0.008818 oz

Tags

FDMS8660, FDMS866, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM