NTUD3129PT5G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-963-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

140 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

125 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.37 mm

Länge:

1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 P-Channel

Breite:

0.8 mm

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

37 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

37 ns

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

112 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Tags

NTUD3129, NTUD312, NTUD3, NTUD, NTU