IPB039N10N3GE8197ATMA1

IPB039N10N3GE8197ATMA1
Mfr. #:
IPB039N10N3GE8197ATMA1
Hersteller:
Rochester Electronics, LLC
Beschreibung:
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPB039N10N3GE8197ATMA1 Datenblatt
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IPB039N10N3GE, IPB039N1, IPB039, IPB03, IPB0, IPB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***or
N-CHANNEL POWER MOSFET
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPB039N10N3GE8197ATMA1Infineon Technologies AG 
RoHS: Not Compliant
342
  • 1000:$1.4600
  • 500:$1.5300
  • 100:$1.6000
  • 25:$1.6600
  • 1:$1.7900
Bild Teil # Beschreibung
IPB039N10N3 G

Mfr.#: IPB039N10N3 G

OMO.#: OMO-IPB039N10N3-G

MOSFET N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB039N10N3GATMA1

Mfr.#: IPB039N10N3GATMA1

OMO.#: OMO-IPB039N10N3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB039N10N3GE8187ATMA1

Mfr.#: IPB039N10N3GE8187ATMA1

OMO.#: OMO-IPB039N10N3GE8187ATMA1

MOSFET MV POWER MOS
IPB039N10N3GE8187ATMA1

Mfr.#: IPB039N10N3GE8187ATMA1

OMO.#: OMO-IPB039N10N3GE8187ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
IPB039N10N3GXT

Mfr.#: IPB039N10N3GXT

OMO.#: OMO-IPB039N10N3GXT-1190

Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB039N10N3GATMA1)
IPB039N10N3G

Mfr.#: IPB039N10N3G

OMO.#: OMO-IPB039N10N3G-1190

Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA
IPB039N10N3GATMA

Mfr.#: IPB039N10N3GATMA

OMO.#: OMO-IPB039N10N3GATMA-1190

Neu und Original
IPB039N10N3GATMA1 , 2SD1

Mfr.#: IPB039N10N3GATMA1 , 2SD1

OMO.#: OMO-IPB039N10N3GATMA1-2SD1-1190

Neu und Original
IPB039N10N3GE8197ATMA1

Mfr.#: IPB039N10N3GE8197ATMA1

OMO.#: OMO-IPB039N10N3GE8197ATMA1-1190

Neu und Original
IPB039N10N3 G

Mfr.#: IPB039N10N3 G

OMO.#: OMO-IPB039N10N3-G-126

IGBT Transistors MOSFET N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
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1,78 $
10
1,70 $
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100
1,61 $
160,65 $
500
1,52 $
758,65 $
1000
1,43 $
1 428,00 $
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