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IXFX32N80P

IXFX32N80P
Mfr. #:
IXFX32N80P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFX32N80P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFX32N80P DatasheetIXFX32N80P Datasheet (P4)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFX32N80P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
800 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
270 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
830 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
21.34 mm
Länge:
16.13 mm
Serie:
IXFX32N80
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.21 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
24 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
24 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
30 ns
Gewichtseinheit:
0.056438 oz
Tags
IXFX32N, IXFX32, IXFX3, IXFX, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 800V 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
***i-Key
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFX32N80P
DISTI # IXFX32N80P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$10.3990
IXFX32N80P
DISTI # 747-IXFX32N80P		IXYS CorporationMOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds
RoHS: Compliant		12
  • 1:$12.9300
  • 10:$11.7500
  • 25:$10.8700
  • 50:$10.0000
  • 100:$9.7600
  • 250:$8.9400
  • 500:$8.1200
  • 1000:$7.4100
Bild Teil # Beschreibung
IXFX32N80P

Mfr.#: IXFX32N80P

OMO.#: OMO-IXFX32N80P

 MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds
IXFX38N80Q2

Mfr.#: IXFX38N80Q2

OMO.#: OMO-IXFX38N80Q2

 MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
IXFX30N100Q2

Mfr.#: IXFX30N100Q2

OMO.#: OMO-IXFX30N100Q2

 MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds
IXFX32N100Q3

Mfr.#: IXFX32N100Q3

OMO.#: OMO-IXFX32N100Q3-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
IXFX32N50,IXFH44N50P,IXF

Mfr.#: IXFX32N50,IXFH44N50P,IXF

OMO.#: OMO-IXFX32N50-IXFH44N50P-IXF-1190

 Neu und Original
IXFX32N50QSP

Mfr.#: IXFX32N50QSP

OMO.#: OMO-IXFX32N50QSP-1190

 Neu und Original
IXFX38N80Q2

Mfr.#: IXFX38N80Q2

OMO.#: OMO-IXFX38N80Q2-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
IXFX32N50

Mfr.#: IXFX32N50

OMO.#: OMO-IXFX32N50-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 32 Amps 500V 0.16 Rds
IXFX32N80Q3

Mfr.#: IXFX32N80Q3

OMO.#: OMO-IXFX32N80Q3-IXYS-CORPORATION

 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
IXFX32N90P

Mfr.#: IXFX32N90P

OMO.#: OMO-IXFX32N90P-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Verfügbarkeit
Aktie:
12
Auf Bestellung:
1995
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
12,93 $
12,93 $
10
11,75 $
117,50 $
25
10,87 $
271,75 $
50
10,00 $
500,00 $
100
9,76 $
976,00 $
250
8,94 $
2 235,00 $
500
8,12 $
4 060,00 $
1000
7,41 $
7 410,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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