HGTG12N60B3

HGTG12N60B3
Mfr. #:
HGTG12N60B3
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 600V 27A 104W TO247
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
HGTG12N60B3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
HGTG12N60B3 DatasheetHGTG12N60B3 Datasheet (P4-P6)HGTG12N60B3 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Produktkategorie
IGBTs - Single
Serie
-
Verpackung
Rohr
Paket-Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Eingabetyp
Standard
Befestigungsart
Durchgangsloch
Lieferanten-Geräte-Paket
TO-247AD
Leistung max
104W
Reverse-Recovery-Time-trr
-
Strom-Kollektor-Ic-Max
27A
Spannungs-Kollektor-Emitter-Breakdown-Max
600V
IGBT-Typ
-
Strom-Kollektor-gepulster-Icm
110A
Vce-on-Max-Vge-Ic
2.1V @ 15V, 12A
Schaltenergie
150μJ (on), 250μJ (off)
Gate-Gebühr
51nC
Td-ein-aus-25°C
26ns/150ns
Testbedingung
480V, 12A, 25 Ohm, 15V
Tags
HGTG12N, HGTG12, HGTG1, HGTG, HGT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***et
12A, 600V, N-CHANNEL UFS SERIES IGBT TO-247
***i-Key
IGBT 600V 27A 104W TO247
***ser
IGBTs 12A, 600V, UFS, N-Ch
***ark
IGBT; Transistor Type:IGBT; Continuous Collector Current, Ic:27A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.1V; Power Dissipation, Pd:104W; Collector Emitter Voltage, Vceo:600V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
HGTG12N60B3
DISTI # HGTG12N60B3-ND
ON SemiconductorIGBT 600V 27A 104W TO247
RoHS: Compliant
Min Qty: 300
Container: Tube
Limited Supply - Call
    HGTG12N60B3D
    DISTI # HGTG12N60B3D
    Renesas Electronics Corporation- Bulk (Alt: HGTG12N60B3D)
    RoHS: Not Compliant
    Min Qty: 163
    Container: Bulk
    Americas - 0
    • 163:$2.0588
    • 165:$1.9974
    • 328:$1.9396
    • 815:$1.8849
    • 1630:$1.8599
    HGTG12N60B3
    DISTI # 512-HGTG12N60B3
    ON SemiconductorMotor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 12A 600V UFS N-Ch
    RoHS: Compliant
    0
      HGTG12N60B3DHarris SemiconductorInsulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
      RoHS: Not Compliant
      1
      • 1000:$2.0300
      • 500:$2.1300
      • 100:$2.2200
      • 25:$2.3200
      • 1:$2.4900
      HGTG12N60B3DIntersil CorporationIGBT Transistor, TO-247AD1
      • 1:$4.5000
      Bild Teil # Beschreibung
      HGTG18N120BN

      Mfr.#: HGTG18N120BN

      OMO.#: OMO-HGTG18N120BN

      IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch
      HGTG11N120CN

      Mfr.#: HGTG11N120CN

      OMO.#: OMO-HGTG11N120CN

      IGBT Transistors 43A 1200V N-Ch
      HGTG10N120BND

      Mfr.#: HGTG10N120BND

      OMO.#: OMO-HGTG10N120BND-ON-SEMICONDUCTOR

      IGBT 1200V 35A 298W TO247
      HGTG11N120CND

      Mfr.#: HGTG11N120CND

      OMO.#: OMO-HGTG11N120CND-ON-SEMICONDUCTOR

      IGBT Transistors 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde
      HGTG10N120

      Mfr.#: HGTG10N120

      OMO.#: OMO-HGTG10N120-1190

      Neu und Original
      HGTG10N120BND 10N120BND

      Mfr.#: HGTG10N120BND 10N120BND

      OMO.#: OMO-HGTG10N120BND-10N120BND-1190

      Neu und Original
      HGTG11N120CNP

      Mfr.#: HGTG11N120CNP

      OMO.#: OMO-HGTG11N120CNP-1190

      Neu und Original
      HGTG11N60A4

      Mfr.#: HGTG11N60A4

      OMO.#: OMO-HGTG11N60A4-1190

      Neu und Original
      HGTG120N60B3D

      Mfr.#: HGTG120N60B3D

      OMO.#: OMO-HGTG120N60B3D-1190

      Neu und Original
      HGTG12N60C3DR

      Mfr.#: HGTG12N60C3DR

      OMO.#: OMO-HGTG12N60C3DR-1190

      Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      5500
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      0,00 $
      100
      0,00 $
      0,00 $
      500
      0,00 $
      0,00 $
      1000
      0,00 $
      0,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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