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IXTP2N100

IXTP2N100
Mfr. #:
IXTP2N100
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTP2N100 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTP2N100 DatasheetIXTP2N100 Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
1 kV
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
7 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
100 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.15 mm
Länge:
10.66 mm
Serie:
IXTP2N100
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.82 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
30 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
15 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
60 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
15 ns
Gewichtseinheit:
0.012346 oz
Tags
IXTP2N1, IXTP2N, IXTP2, IXTP, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
***ark
MOSFET, N, TO-220; Transistor type:Standard; Voltage, Vds typ:1000V; Current, Id cont:2A; Resistance, Rds on:7R; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:4.5V; Case style:TO-220 (SOT-78B); Capacitance, Ciss typ:825pF; RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4.5V; Power Dissipation Pd: 100W; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; MSL: -; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017); Capacitance Ciss Typ: 825pF; Junction to Case Thermal Resistance A: 1.25°C/W; N-channel Gate Charge: 40nC; Reverse Recovery Time trr Max: 1000ns; Termination Type: Through Hole; Transistor Type: General Purpose; Voltage Vds Typ: 1kV; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTP2N100P
DISTI # IXTP2N100P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		23In Stock
  • 2500:$1.1900
  • 500:$1.4875
  • 100:$1.9125
  • 50:$2.1250
  • 10:$2.3800
  • 1:$2.6400
IXTP2N100
DISTI # IXTP2N100-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 50:$3.1050
IXTP2N100
DISTI # 747-IXTP2N100		IXYS CorporationMOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds
RoHS: Compliant		0
  • 50:$3.3800
  • 100:$3.2500
  • 250:$2.7800
  • 500:$2.6400
  • 1000:$2.2200
  • 2500:$1.9100
IXTP2N100P
DISTI # 747-IXTP2N100P		IXYS CorporationMOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds
RoHS: Compliant		16
  • 1:$3.0200
  • 10:$2.7400
  • 25:$2.3800
  • 50:$2.2300
  • 100:$2.2000
  • 250:$1.7900
  • 500:$1.7100
  • 1000:$1.4200
  • 2500:$1.1900
Bild Teil # Beschreibung
IXTP62N15P

Mfr.#: IXTP62N15P

OMO.#: OMO-IXTP62N15P

 MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds
IXTP230N075T2

Mfr.#: IXTP230N075T2

OMO.#: OMO-IXTP230N075T2

 MOSFET 230 Amps 75V
IXTP05N100P

Mfr.#: IXTP05N100P

OMO.#: OMO-IXTP05N100P

 MOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on)
IXTP1R6N50D2

Mfr.#: IXTP1R6N50D2

OMO.#: OMO-IXTP1R6N50D2

 MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
IXTP3P50A

Mfr.#: IXTP3P50A

OMO.#: OMO-IXTP3P50A-1190

 Neu und Original
IXTP76P10T

Mfr.#: IXTP76P10T

OMO.#: OMO-IXTP76P10T-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds
IXTP7N60P

Mfr.#: IXTP7N60P

OMO.#: OMO-IXTP7N60P-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 1.1 Ohms Rds
IXTP10P15T

Mfr.#: IXTP10P15T

OMO.#: OMO-IXTP10P15T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET TenchP Power MOSFET
IXTP230N075T2

Mfr.#: IXTP230N075T2

OMO.#: OMO-IXTP230N075T2-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 230 Amps 75V
IXTP7N60PM

Mfr.#: IXTP7N60PM

OMO.#: OMO-IXTP7N60PM-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 7 Amps 600V
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1500
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
50
3,38 $
169,00 $
100
3,25 $
325,00 $
250
2,78 $
695,00 $
500
2,64 $
1 320,00 $
1000
2,22 $
2 220,00 $
2500
1,91 $
4 775,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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