QPD1025L

QPD1025L
Mfr. #:
QPD1025L
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
QPD1025L Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
QPD1025L Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
22.9 dB
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
28 A
Ausgangsleistung:
1.5 kW
Maximale Drain-Gate-Spannung:
225 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Pd - Verlustleistung:
758 W
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
NI-1230-4
Verpackung:
Tablett
Anwendung:
Avionik, IFF-Transponder
Aufbau:
Dual Gate Dual Drain
Arbeitsfrequenz:
1 GHz to 1.1 GHz
Serie:
QPD
Marke:
Qorvo
Entwicklungs-Kit:
QPD1025LEVB1
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
18
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
QPD102, QPD10, QPD1, QPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Transistor, .96 to 1.215 GHz, 1800 W, 65 V, 22.5 dB gain, NI-1230 Eared Pkg
QPD1025 & QPD1025L RF Input-Matched Transistors
Qorvo QPD1025 and QPD1025L RF Input-Matched Transistors are discrete GaN on SiC High Electron Mobility Transistors (HEMT) that have an operating frequency range of 1.0GHz to 1.1GHz. These transistors feature 22.5dB linear gain, 1800W output power, 65V operating voltage, and support both pulse and CW operations. The QPD1025 and QPD1025L transistors are available in industry standard air cavity packages and are ideal for IFF transponders, avionics, and test instrumentation.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
QPD1025L
DISTI # 772-QPD1025L
QorvoRF JFET Transistors 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
RoHS: Compliant
17
  • 1:$803.0000
QPD1025LEVB1
DISTI # 772-QPD1025LEVB1
QorvoRF Development Tools 1-1.1GHz 1500 Watt Eval Board
RoHS: Compliant
2
  • 1:$1,250.0000
Bild Teil # Beschreibung
QPD1000

Mfr.#: QPD1000

OMO.#: OMO-QPD1000

RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
QPD1014SR

Mfr.#: QPD1014SR

OMO.#: OMO-QPD1014SR

RF JFET Transistors .03-1.2GHz 15W 50V GaN
QPD1013SR

Mfr.#: QPD1013SR

OMO.#: OMO-QPD1013SR

RF JFET Transistors DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
QPD1009

Mfr.#: QPD1009

OMO.#: OMO-QPD1009

RF JFET Transistors DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
QPD1004SR

Mfr.#: QPD1004SR

OMO.#: OMO-QPD1004SR

RF JFET Transistors .03-1.2GHz 25W 50V GaN
QPD1022SR

Mfr.#: QPD1022SR

OMO.#: OMO-QPD1022SR

RF JFET Transistors DC-12GHz 10W 32V GaN
QPD1020SR

Mfr.#: QPD1020SR

OMO.#: OMO-QPD1020SR

RF MOSFET Transistors 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
QPD1003

Mfr.#: QPD1003

OMO.#: OMO-QPD1003-RFMD

RF TRANSISTOR
QPD1015L

Mfr.#: QPD1015L

OMO.#: OMO-QPD1015L-1152

RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
QPD1223

Mfr.#: QPD1223

OMO.#: OMO-QPD1223-ON-SEMICONDUCTOR

EMITTER-PHOTOSENSOR PAIR 5MM
Verfügbarkeit
Aktie:
34
Auf Bestellung:
2017
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1
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