STU8NM60ND

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

700 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

70 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.2 mm

Länge:

6.6 mm

Serie:

STD8NM60ND

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

22 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22 ns

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

37 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STU8N, STU8, STU