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IXFN25N90

IXFN25N90
Mfr. #:
IXFN25N90
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFN25N90 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFN25N90 DatasheetIXFN25N90 Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Chassishalterung
Paket / Koffer:
SOT-227-4
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
900 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
330 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
600 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HyperFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.6 mm
Länge:
38.2 mm
Serie:
IXFN25N90
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
25.07 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
24 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
35 ns
Werkspackungsmenge:
10
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
130 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
60 ns
Gewichtseinheit:
1.058219 oz
Tags
IXFN25, IXFN2, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFN25N90
DISTI # IXFN25N90-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 10:$29.0450
IXFN25N90
DISTI # 747-IXFN25N90		IXYS CorporationMOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds
RoHS: Compliant		0
  • 10:$29.0500
  • 30:$26.6900
  • 50:$25.5500
  • 100:$24.8100
  • 200:$22.7600
Bild Teil # Beschreibung
IXFN32N100P

Mfr.#: IXFN32N100P

OMO.#: OMO-IXFN32N100P

 MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
IXFN27N80

Mfr.#: IXFN27N80

OMO.#: OMO-IXFN27N80

 MOSFET 800V 27A
IXFN60N120

Mfr.#: IXFN60N120

OMO.#: OMO-IXFN60N120-1190

 Neu und Original
IXFN27N80Q

Mfr.#: IXFN27N80Q

OMO.#: OMO-IXFN27N80Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
IXFN44N60

Mfr.#: IXFN44N60

OMO.#: OMO-IXFN44N60-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 44 Amps 600V
IXFN73N30Q

Mfr.#: IXFN73N30Q

OMO.#: OMO-IXFN73N30Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 73 Amps 300V 0.042 Rds
IXFN180N10

Mfr.#: IXFN180N10

OMO.#: OMO-IXFN180N10-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 180 Amps 100V 0.008 Rds
IXFN26N90

Mfr.#: IXFN26N90

OMO.#: OMO-IXFN26N90-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 900V 26A
IXFN36N100

Mfr.#: IXFN36N100

OMO.#: OMO-IXFN36N100-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 1KV 36A
IXFN32N100Q3

Mfr.#: IXFN32N100Q3

OMO.#: OMO-IXFN32N100Q3-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1000
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
10
29,05 $
290,50 $
30
26,69 $
800,70 $
50
25,55 $
1 277,50 $
100
24,81 $
2 481,00 $
200
22,76 $
4 552,00 $
500
21,67 $
10 835,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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